这些是构成所有变流器（AC-DC、DC-DC、DC-AC）的基础，是能量转换的执行者。对SST而言，这些器件需要具备高电压、大电流、高开关频率和低损耗的特性。
IGBT
角色：在中压、中大功率应用中是主力军。通常用于SST输入级的AC-AC或AC-DC变换，以及输出级的逆变器。
特点：电压等级高（可达6.5kV以上），电流容量大，是电压控制型器件，驱动电路相对简单。但在高频下开关损耗较大。
SiC MOSFET
角色：SST实现高频化、高功率密度和高效率的关键推动者。大量应用于SST的DC-DC隔离级和高频逆变/整流级。
特点：
高开关频率：可比IGBT高一个数量级（可达数百kHz甚至MHz），这使得磁性元件（变压器、电感）体积减小。
低开关损耗：具有较快的开关速度和软恢复体二极管，显著降低了开关过程中的能量损失。
高耐温：能在更高结温下工作。
虽然单管电压和电流等级在不断提升，但在超高功率场合，可能仍需与IGBT结合使用或采用多电平拓扑。
MOSFET
角色：主要用于低压、小功率或辅助电源部分。在早期或实验性的SST中也有应用。
特点：开关频率最高，但电压和电流等级相对较低。
这是“变压器”概念的体现，但工作频率从50/60Hz提升到了数kHz至数百kHz。
高频变压器
角色：实现电气隔离和电压变换的核心。它工作在kHz到数百kHz的高频下，体积和重量比同功率的传统工频变压器小得多。
关键要求：
低损耗：需要采用低损耗的铁基非晶、纳米晶、铁氧体等高频磁芯材料。
低漏感：漏感会引起电压尖峰和开关应力，需要精细的绕组设计。
高绝缘等级：特别是输入级的中压变压器，需要可靠的绝缘设计。
高频电感
角色：用于构成输入/输出滤波器以及DC-DC变换器中的储能电感。
要求：同样需要高频低损耗的磁芯材料，并能在高频大电流下保持电感值不饱和。
电容器在SST中扮演着多种关键角色。
直流链路电容器
角色：位于整流级和逆变级之间，是SST的“能量水池”。
功能：
稳定直流母线电压，缓冲交流侧和直流侧之间的瞬时功率差异。
吸收高频开关引起的纹波电流。
要求：需要高电容值、高耐压、低等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），以承受高频纹波电流。通常采用薄膜电容器或电解电容器。
滤波电容器
角色：用于输入和输出滤波器，滤除开关频率产生的高频谐波，保证输入电流和输出电压的质量。
要求：对高频性能要求高，通常使用薄膜电容器或陶瓷电容器。
这是SST的“大脑”和“感官”，实现其智能化功能。
数字信号处理器 / 微控制器
角色：SST的控制核心。执行复杂的控制算法，如PWM信号生成、闭环控制（电压、电流）、状态监测、通信和保护逻辑。
要求：需要极高的运算速度和并行处理能力，以实时处理多个控制回路。
驱动电路
角色：接收来自DSP的低压控制信号，将其放大并转换为能安全、可靠地驱动功率开关器件（如IGBT、SiC MOSFET）的栅极信号。
关键功能：提供必要的驱动电压、电流，并实现电气隔离（通常通过光耦或变压器隔离）。
电压和电流传感器
角色：实时检测SST关键节点的电压和电流，为闭环控制提供反馈信号，并为保护系统提供触发依据。
类型：霍尔效应传感器、罗氏线圈等，要求高带宽、高精度和高隔离度。
角色：为控制系统、驱动电路、传感器和冷却风扇等提供稳定、隔离的低压直流电源（如±15V, 5V, 3.3V）。
实现：通常是一个小功率的隔离型DC-DC开关电源。
这些关键组件在SST中协同工作，构成了一个典型的多级功率变换系统：
输入级：由IGBT/SiC MOSFET构成的整流器，将工频交流变为直流，并由直流链路电容器支撑。
隔离级：由SiC MOSFET等构成的高频DC-DC变换器，通过高频变压器实现电气隔离和电压变换。
输出级：由IGBT/SiC MOSFET构成的逆变器，将直流变换回工频或所需频率的交流，并通过LC滤波器平滑输出。
控制核心：DSP通过传感器采集信号，经过运算后通过驱动电路控制所有功率开关，实现精确的能量管理和系统保护。
正是这些先进的电力电子组件的不断发展，特别是SiC和GaN等宽禁带半导体的成熟，才使得固态变压器在效率、功率密度和多功能性方面展现出巨大潜力，成为未来智能电网和能源互联网的关键设备。